Заведующий кафедрой с 2010 года - доктор технических наук Небольсин Валерий Александрович. родился 5 июля 1963 года, окончил Воронежский политехнический институт в 1985 году по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы", работает в ВГТУ с 1985 года. Им опубликовано порядка 80 научных работ в академических отечественных и зарубежных изданиях, получено 7 патентов на изобретения. Научные направления - квазиодномерный рост полупроводниковых микро - и нанокристаллов и углеродных нанотрубок, наноэлектроника и нанотехнологические приборы.

Научно - исследовательскую деятельность начал после окончания физико - технического факультета Воронежского политехнического института (ВПИ) в 1985 г. За период с 1985 по 2010 г. выполнен комплекс исследовательских работ, связанный с изучением закономерностей и механизмов роста нитевидных кристаллов. В этот же период защищены кандидатская (1990г.) и докторская (2004 г.) диссертации.

Исследования, выполненные проф. Небольсиным В.А, позволили раскрыть активационную природу механизма квазиодномерного роста кристаллов и установить критерии его реализации (Неорганические материалы, 2003 и 2008); разработать способы управляемого синтеза высокосовершенных структур нитевидных кристаллов  и "отрицательных" нитевидных кристаллов кремния (Известия РАН. Сер. Физическая, 2008, патент RU N2336224, 2008); установить механизм роста и синтезировать углеродные нанотрубки, обладающие рекордными сорбционными характеристиками (Неорганические материалы, 2011); предложить конструкции и способы создания высокоэффективных кремниевых солнечных элементов (Заявка на патент N 2009100207, 2009); разработать конструкции различных типов сенсорных устройств на базе нитевидных кристаллов (Метрология, 1991, Изобретатели - Машиностроению, 1998); разработать технологический процесс промышленного синтеза регулярных систем нитевидных кристаллов кремния (Техника-машиностроению, 2002,  патент RU 2117081, 1998 ).

Результаты фундаментальных исследований  признаны и используются в таких крупных мировых научных центрах  как Институт физики микроструктур им. М. Планка (Schmidt V. и др.), Германия); Северо-западный университет штата Иллинойс (Roper S.M. и др.), США; Консорциум наноразмерных структур при Лундском университете (Wacaser B. и др.), Швеция;  лаборатория фотоники наноструктур CNRS (Glas F. И др.), Франция; лаборатория интегральной квантовой электроники Хоккайдского университета (Fukui T. и др.), Япония. Полученные результаты запрошены и использованы в работах NASA (США, Калифорния) (письмо  94035-1000 от 27.03.2009 г.). Неоднократно приглашался для чтения лекций в Консорциум наноразмерных структур (г. Лунд, Швеция), в качестве приглашенного докладчика  (MRC, Сан-Франциско, США). На публикации Небольсина В.А. имеются десятки ссылок зарубежных авторов (S. Roper, S. Davis, S. Norris et al. J. Appl. Phys. V.102, 034304 (2007), Mohammad S.  J. Appl. Phys. V107, 114304 (2010) и др.)