|
|
|
Домашние задания на время карантина для студентов специальности
"Микроэлектроника и твердотельная электроника"
|
| Задание для самостоятельного изчения материала
на период карантина (15.02.2011-24.02.2011)
МТЭ-101, ТФ-101 (1 курс)
Информатика
Тема: Изучение электронных таблиц MicroSoft Excel
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Яндекс, Google
МТЭ-091 (2 курс)
Метрология, стандартизация и сертификация
Тема: Структура и функции метрологической службы. Обеспечение единства измерений. Международные метрологические организации. Проверка средств измерений.
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Лифиц И.М. Основы стандартизации, метрологии и сертификации. Учебное пособие. М.: Юрийт, 2001.- С. 116 -- 142,
МТЭ-081 (3 курс)
Физика твёрдого тела
Тема: Механизмы примесного поглощения света
Задание: Самостоятельно изучить темы учебного пособия, посвящённые поглощению света:
- Механизмы примесного поглощения света
- Поглощение света свободными электронами
- Решётчатое поглощение
- Полный спектр оптического поглощения
Рекомендуемая литература: Учебное пособие по предмету, стр. 12 -- 20
Материалы и элементы электронной техники
Тема: Положение уровня Ферми. Температурная зависимость примесного полупроводника. Классификация полупроводниковых материалов.
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература:
1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники - СПБ: "Лань", 2003. стр. 100 -- 101, 104 -- 105, 133 -- 135
2. Новокрещенова Е.П., Свистова Т.В. Материалы и элементы электронной техники: учебное пособие, ч.1. - Воронеж: ВГТУ, 2010. стр. 106 -- 107, 109 -- 114
Технология материалов электронной техники
Тема1: Понятие динамического дифузионного и теплового приграничных слоёв в процессах конвективного тепло- и массообмена. Кинематика технологических процессов
Рекомендуемая литература:
1. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов - СПБ: "Лань", 2002. стр. 24, 39 -- 42
2. Новокрещенова Е.П. Технология материалов электронной техники: учебное пособие, ч.1. - Воронеж: ВГТУ, 2009. стр. 16 -- 22
Тема2: Общая схема получения полупроводниковых материалов. Характеристика чистоты вещества. Общая характеристика процессов разделения и очистки
Рекомендуемая литература:
1. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов - СПБ: "Лань", 2002. стр. 52 -- 55
2. Новокрещенова Е.П. Технология материалов электронной техники: учебное пособие, ч.1. - Воронеж: ВГТУ, 2009. стр. 23 -- 29
Вакуумная и плазменная электроника
Тема: Виды эмиссии.Автоэлектронная эмиссия. Фотоэлектронная эмиссия. Взрывная эмиссия
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Свистова Т.В. Вакуумная и плазменная электроника, ч.1. - Воронеж: ВГТУ, 2005. стр. 13 -- 37
Материалы и элементы электронной техники
Тема: p-n-переход
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Свистова Т.В., Новокрещенова Е.П. Материалы электронной техники: учебное пособие, ч.2. - Воронеж: ВГТУ, 2010. стр. 5 -- 21
МТЭ-071 (4 курс)
Расчет и проектирование элементов ИМС
Тема: Классификация интегральных микросхем (ИС). Полупроводниковые ИС. Гибридные ИС. Основные параметры элементов полупроводниковых ИС и компонентов гибридных ИС.
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. - М.: Радио и связь, 1991.
Процессы микро- и нанотехнологии
Тема: Термическое окисление кремния
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Зи. 1том, стр. 174 -- 223
Микроэлектроника
Тема: Приповерхностная область пространственного заряда МДП-структуры. Ёмкость области пространственного заряда. Ёмкость МДП-структуры
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Свистова Т.В. Твердотельная электроника, ч.1. - Воронеж: ВГТУ, 2006. стр. 113 -- 124, 136 -- 139
Кванотовая и оптическая электроника
Тема: Фотоэлектрические эффекты в электрическом переходе. Электролюминисценция. Полупроводниковые гетеропереходы и инжекционная электролюминесценция
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Свистова Т.В. Квантовая и оптическая электроника. - Воронеж: ВГТУ, 2009. стр. 22 -- 44
МТЭ-061 (5 курс)
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС
Тема: Математическое описание ИС
Задание:
1. Изучить теоретический материал по теме "Математическое описание ИС".
2. Выполнить расчетную часть лабораторной работы N4.
3. Подготовиться к защите лабораторной работыN4.
Примечание: Для консультаций предлагается следующий адрес: BRD@box.vsi.ru
Контрольные вопросы по теме:
1. Дать определение графа.
2. Что называется инцидентной парой?
3. Что такое подграф?
4. Что называется деревом графа?
5. Правила заполнения элементов матрицы инциденций A
6. Какой контур называется особым?
7. Какое сечение называется особым?
8. Как проверить правильность заполнения матрицы инциденций A?
9. Что такое ребро, дуга?
10. Что называется путем графа между его n и m вершинами?
11. Что называется контуром графа?
12. Что называется ветвью, связью дерева графа?
13. Что такое редуцированная матрица инциденций?
14. Правила заполнения элементов матрицы контуров B.
15. Правила заполнения элементов матрицы сечений D
16. Как проверить правильность заполнения матрицы контуров B?
17. кие вершины, дуги графа называются смежными?
18. Какой граф называется связным?
19. Что называется сечением графа?
20. Размерность и назначение матрицы инциденций A
21. Размерность и назначение матрицы контуров B.
22. Размерность и назначение матрицы сечений D.
23. Размерность и назначение матрицы F.
24. Как проверить правильность заполнения матрицы сечений D?
25. Записать законы Кирхгофа через матрицы A и B.
26. Назвать основные этапы алгоритма ступенчатого преобразования матрицы A в D.
27. Записать законы Кирхгофа через матрицы B и D.
28. Назвать основные этапы машинного формирования нормального дерева графа методом КЗ.
29. Записать законы Кирхгофа через матрицу F.
30. Какое дерево графа называется нормальным?
31. В каком случае 1-й закон Кирхгофа нужно записывать через матрицу D?
32. Назвать приоритет стандартных элементов для построения нормального дерева графа.
Литература:
1. Бордаков Е.В. Пантелеев В.И. Методические указания к выполнению лабораторных работ N 1 4 дисциплине "Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и инте-гральных микросхем " для студентов специальности 200100.- Воронеж: ВГТУ, 2004. Рег. N 108-2004. Стр. 35 -- 45.
2. Чуа Л.О., Лин Пен-Мин. Машинный анализ электрон. схем. - М.: Энергия, 1980. Стр. 123 -- 149.
3. Бордаков Е.В., Пантелеев В.И. Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: уч. пособие для студентов специальности 210104.- Воронеж: ВГТУ, 2004. Стр. 105 -- 121.
ФТ-101 (5 курс, магистранты)
Новые физические явления и материалы
Тема: Методы формирования наноэлектронных структур
Задание: Самостоятельно изучить тему
Рекомендуемая литература: Чаплыгин Ю.А. "Нанотехнологии в электронике"
Спектроскопия парамагнитных центров
Тема: Парамагнитный резонанс. Физические основы методов парамагнитного резонанса, виды спектров парамагнитного резонанса, условия их получения и характеристики, энергетические спектры изолированных атомов и их модуляция в магнитном поле, парамагнитный ион в кристалле, тонкая и сверхтонкая структура спектра, ширина и форма линии ЭПР в кристалле.
Рекомендуемая литература:
1. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь, 2002.- С.253 -- 328.
2. Рембеза С.И. Исследование полупроводников методом ЭПР. Воронеж, 1982.- 97 с.
Компьютерные технологии в науке и образовании
Тема: Основные понятия. Факторы эффективности. Наука как объ-ект компьютеризации. Модель научных исследований. Основные направле-ния автоматизации научных исследований. Научные ресурсы Интернет.
Рекомендуемая литература: Основы научных исследований: Учеб.для техн. вузов/В.И.Крутов и др.-М.:Высш.шк., 1989. - 400 с.
Лабораторные работы:
1. Оптимальное сглаживание методом наименьших квадратов
2. Сплайн-аппроксимация и сглаживание данных
Mетодическая литература:
1. N342-2006 Сост. Буслов В.А. Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине "Пакеты прикладных математических программ" для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твер-дотельная электроника" очной формы обучения, Воронеж, ВГТУ (компьютерный файл)
| |
|
| |
Последнее обновление
© 1995-2012 Воронежский Областной центр новых информационных технологий (ОЦ НИТ)
при поддержке ГНИИ ИТТ "Информика"
|
| webmaster@ocnit.vorstu.ru
|
|
