ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Главная Абитуриенту Студенту Выпускнику Аспиранту и докторанту Сотруднику Контакты
Get Adobe Flash player
Университет
Управление
Образование
Наука
инновационная деятельность
центры
ож
Социальная сфера
Новости
    Центры /

Центрально-Черноземный коллективный центр анализа структуры, элементного и химического состава материалов

Центрально-черноземный коллективный центр анализа структуры, элементного и химического состава материалов (КЦ СЭХС) создан в 1996 г. в составе научной программы РАН и Минобразования России "Интеграция" при поддержке РФФИ на базе подразделений и на площадях Учредителей: Воронежского государственного технического университета, Воронежского государственного университета, Воронежского Научно-исследовательского института электронной техники, Воронежского научно-технологического центра Минобразования РФ. КЦ СЭХС не является юридическим лицом, управление центром располагается на базе Воронежского государственного технического университета. КЦ СЭХС внесен в реестр Российского фонда фундаментальных исследований

Руководитель- член - корреспондент РАН, докт. физ.- мат. наук, профессор Иевлев Валентин Михайлович

Базовые структуры. Республиканская межвузовская лаборатория спектроскопических методов анализа твердого тела и его поверхности Минобразования РФ (ВГУ), Региональная научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии и электронографии (ВГТУ), Региональная научно-исследовательская криогенная лаборатория (ВГТУ), лаборатория физико-химического анализа НИИЭТ.

Структура центра включает в себя отделения:

- электронной микроскопии и электронографии;
- элементного и химического анализа,
- низкотемпературных физических исследований.

КЦ СЭХС проводит следующие исследования:

- фазового и элементного состава, 
- структуры, морфологии поверхности и электронной структуры тонкопленочных материалов; 
- исследование физических свойств различных сверхпроводников в области температур 4,2-300 К. 

КЦ выполняет услуги по технологическим процессам нанесения пленок и пленочных композиций металл - металл, металл - полупроводник, металл - оксид, полупроводник-оксид.

Отделение электронной микроскопии и электронографии укомплектовано: 

- Просвечивающие электронные микроскопы ЭМ-125 К, ПРЭМ - 200, ЭМВ - 100 БР, которые позволяют проводить исследования микроструктуры и фазового состава различных объектов на просвет. Разрешающая способность приборов при работе в режиме высокого разрешения составляет: ЭМ-125 К - по кристаллической решетке 0,2 нм, по точкам - 0,3 нм, при работе с гониометром - 0,7 нм; ПРЭМ -200 - по точкам 0,8 нм; ЭМВ-100 БР - по точкам-0,5 нм. Диапазон электронно-оптического увеличения в режиме высокого разрешения от 100х до 850000х;
- Электронограф ЭГ-100М - позволяет исследовать структуру твердых веществ методом дифракции электронов в проходящих и отраженных лучах; 
- Сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) Solver P47 предназначен для количественных и качественных измерений приповерхностных характеристик объектов и сопутствующих им физических полей с разрешениями вплоть до атомарных и может быть использован в материаловедении для исследования различных покрытий и тонких пленок, полимерных и наноструктурированных материалов, в химии, физике, биологии, медицине и т.д. СЗМ Solver P47 позволяет измерять топографию поверхности, упругие силы, силы трения, адгезионные

характеристики, проводимость, электрический потенциал, заряд, поверхностную емкость;
- Растровый электронный микроскоп BS-300 предназначен для исследования: поверхностей объектов в режиме вторичных электронов; материального контраста в режиме отраженных электронов; изображений объекта в режиме поглощенных электронов; электронного сигнала модуляций Y, возбуждаемого рельефом поверхности. Разрешающая способность микроскопа в режиме вторичных электронов при ускоряющем напряжении 30 кВ не более 15 нм. Диапазон электроннооптического увеличения от 5х до 200000х. Ускоряющее напряжение 1- 49 кВ;

- Оже-электронный спектрометр ЭСО-3 - предназначен для возбуждения и регистрации спектров энергии оже-электронов при исследовании элементного состава поверхности образца, а также распределения элементов на поверхности и по толщине образца. 
- Рентгеновский дифрактометр ДРОН 4-07 - позволяет:
- проводить исследования общего характера: фазовый анализ, исследование твердых растворов, определение макро- и микронапряжений, изучение ближнего порядка в аморфных структурах и др.;
- получать полный набор интегральных значений скоростей счета импульсов рентгеновского излучения при отражениях от монокристаллов;
- определять ориентацию срезов монокристаллов;
- исследовать текстуры.
- Универсальная сверхвысоковакуумная установка УСУ-4 - имеет многофункциональное применение для решения научных и прикладных задач и предназначена для проведения различных электрофизических исследований в сверхвысоком вакууме в области физики твердого тела. 
Откачной пост имеет три безмасляные ступени откачки: сорбционный, магниторазрядный и титановый сублимационный насосы.
Предельное остаточное давление в рабочей камере 2,67х10-8 Па. 
- Установка вакуумного напыления 01МЭ - 7 - 004 "Оратория 9" - предназначена для вакуумного нанесения пленок различных материалов (включая тугоплавкие) методом электронно-лучевого испарения из водоохлождаемых тиглей. Установка обеспечивает работу одного или двух испарителей в автоматическом режиме, что позволяет создавать модулированные структуры заданной толщины.
- Универсальная установка на базе УВН-84- предназначена для электронно-лучевого испарения металлов, ВЧ-магнетронного распыления диэлектриков, магнетронного распыления металлов и сплавов.

- Вакуумный универсальный пост ВУП - 5. - предназначен для нанесения пленок различными способами: термическим испарением, магнетронным или ионно-плазменным распылением, дискретным испарением. Минимальное остаточное давление в рабочем объеме - 1,3 10-4 Па.

Отделение элементного и химического анализа укомплектовано:

- Просвечивающий аналитический электронный микроскоп Н-800 с системой рентгеновского энергодисперсионного анализа LINK-AN 10/55 - предназначен для проведения научно-исследовательских и производственно-контрольных работ в различных областях науки и техники. Прибор H-800 позволяет проводить: исследование объектов в режиме ПЭМ; исследование объектов в режиме ПРЭМ. Увеличение от 1000х до 800000х. Минимальное разрешение по кристаллической решетке в режиме ПЭМ составляет 0,12 нм.
- Растровый электронный микроскоп Camscan S4 с системой рентгеновского энергодисперсионного анализа LINK-AN 10/55 - предназначен для исследования топографии поверхности твердого тела 

методом  вторичной электронной эмиссии и элементного состава методом рентгеновского энергодисперсионного анализа. Изображение топографии поверхности объектов визуально наблюдается на экране телевизионной трубки и регистрируется на фотопленку. Диапазон анализируемых химических элементов от бора до урана. Система регистрации рентгеновского микроанализа позволяет проводить качественный анализ в точке и по линии, а также визуально наблюдать и фотографировать распределение определенного химического элемента по поверхности. Разрешающая способность установки во вторичных электронах 4 нм, увеличение от 20х до 300000х.

- Растровый электронный микроанализатор рентгеновский JXA-840 с системой рентгеновского энергодисперсионного анализа LINK-860. сочетает в себе преимущества специализированного электронно-зондового микроанализатора c полноценными возможностями растрового микроскопа. 
Возможно получение следующих типов изображений: изображение во вторичных электронах; 
изображение в отраженных электронах (состав и топография); картина электронного каналирования. Разрешающая способность установки во вторичных электронах 4 нм, увеличение от 10х до 300000х.
- Рентгеновский спектрометр - монохроматор РСМ-500 - предназначен для исследования спектров эмиссии и поглощения твердых тел и газов в диапазоне длин волн 0,6 - 55 нм.

  Предназначен для изучения электронного строения твердых тел, тонких пленок, переходных слоев и поверхности. Позволяет получать информацию об энергетическом распределении локальной плотности занятых и свободных электронных состояний в упорядоченных и неупорядоченных средах с вариацией глубины анализа.

Отделение низкотемпературных физических исследований проводит следующие виды работ:

- измерение критической температуры сверхпроводящего перехода по электросопротивлению: для тонких (£ 0,2 мм) фольг и пленок на диэлектрических и металлических подложках; для образцов в виде пластин толщиной 0,5-1 мм. 
- определение зависимости критического поля Нк (Т) для тонких фольг и пленок на диэлектрических подложках, а так же образцов в виде пластин толщиной 0,5-1мм и пленок на металлических подложках
- измерение намагниченности и индукции, образцов в виде пластин и цилиндров в параллельном магнитном поле методом интегрирования.
- измерение намагниченности образцов в виде тонких пленок и фольг на неферромагнитных подложках с использованием сверхпроводящего пермеаметра.
- измерение средней индукции сверхпроводников на поверхности пластин и пленок с использованием датчиков Холла.
- измерение потерь в сверхпроводниках в переменных магнитных полях малой амплитуды.
- измерение внутреннего трения и динамического модуля упругости в материалах в виде тонких пластин в диапазоне частот 50-10000 Гц в области температур 4,2 - 300 К.

Основными научными направлениями исследований КЦ СЭХС являются:

1. Изучение закономерностей зарождения и роста металлических, диэлектрических и полупроводниковых пленок.
2. Исследование закономерностей формирования и структуры межзеренных и межфазных границ в материалах.
3. Исследование морфологии, структуры и фазового состава элементной базы интегральных схем.
4. Изучение электронного строения твердых тел, тонких пленок, переходных слоев и поверхности.

В центре работают 5 докторов физико-математических наук, 5 кандидатов физико-математических наук, кандидат технических наук и вспомогательный персонал.

На базе КЦ СЭХС проводятся лабораторные работы по различным курсам, выполняются дипломные и курсовые проекты студентами физического факультета ВГУ и физико-технического факультета ВГТУ. Аспиранты и докторанты проводят научно-исследовательскую работу при обучении в аспирантуре и докторантуре.

КЦ СЭХС обеспечивает обслуживание работ, выполняемых по грантам РФФИ, Минобрнауки, INTAS проектам.


Контактная информация: 394026, г. Воронеж, Московский пр., 14., тел.(4732)-46-76-33,

Факс: (4732)-46-13-79, e-mail: kusheev@phis.vorstu.ru



счетчик посещений
Последнее обновление

Учредитель: Министерство образования и науки Российской Федерации
© 1995-2017 Воронежский Областной центр новых информационных технологий (ОЦ НИТ)
при поддержке ГНИИ ИТТ "Информика" Минобрнауки России
--